Инженеры из Hewlett Packard разработали технологию, которая может прийти на смену традиционным транзисторам. В ее основе лежат резисторы с памятью, или мемристоры. Главной особенностью данных элементов является их способность хранить информацию без поступления электрического тока, что делает их весьма перспективными для создания элементов памяти. Теоретическая основа для мемристоров была заложена еще в далеком 1971 году, но первый лабораторный образец был получен лишь в прошлом году той же командой исследователей.

На данный момент инженеры компании работают над увеличением до сопоставимой с современными транзисторами скорости переключения мемристоров между режимами. Руководитель исследователей физик Стэн Уильямс считает, что при должной доработке технология позволит создавать микросхемы памяти нового типа, которые будут отличаться высокой скоростью записи, низким энергопотреблением и очень большой плотности записи.

Разработка вполне своевременная, если учесть, что специалисты прогнозируют для современной наноэлектроники скорые проблемы, связанные с пределом миниатюризации элементной базы. На данный момент наиболее передовым в производстве полупроводниковых устройств является 20-нанометровый техпроцесс, в то время как разработка HP позволяет производить отдельные элементы с размерами 3 нм. В течение ближайших трех лет ученые обещают создать готовые элементы памяти с плотностью хранения информации до 20 гигабайт на квадратный сантиметр.

источник